STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRF630

Код товара RS: 920-6673Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: IRF630
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics IRF630 MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRF630

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRF630
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics IRF630 MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics IRF630 MOSFET
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)