STMicroelectronics BUL38D NPN Transistor, 5 A, 800 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 810-7376Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL38D
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BUL38D NPN Transistor, 5 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BUL38D NPN Transistor, 5 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 281,61тг 2 816,10
100 - 240тг 223,50тг 2 235,00
250 - 490тг 205,62тг 2 056,20
500 - 990тг 174,33тг 1 743,30
1000+тг 151,98тг 1 519,80
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать