Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

onsemi N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G

Код товара RS: 178-4450Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVMFS6H801NT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

157 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.1мм

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFET
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (On a Reel of 1500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFET
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (On a Reel of 1500) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

157 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.1мм

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFET
ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (On a Reel of 1500) (ex VAT)