ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

157 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia