onsemi P-Channel MOSFET, 11.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMS4177PR2G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
19 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
| 20 - 40 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
| 50 - 90 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
| 100 - 190 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
| 200+ | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
19 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре