Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,05 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.85V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
417 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,05 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.85V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
417 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре