Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
260 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
260 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре