Infineon SPP11N80C3XKSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
450 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.45мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 528,74
тг 1 528,74 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 528,74
тг 1 528,74 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 528,74 |
| 25 - 99 | тг 1 224,78 |
| 100 - 499 | тг 1 113,03 |
| 500 - 999 | тг 902,94 |
| 1000+ | тг 764,37 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
450 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.45мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.