Infineon SPP06N80C3XKSA1 MOSFET

Код товара RS: 110-7776PБренд: InfineonПарт-номер производителя: SPP06N80C3XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon SPP06N80C3XKSA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon SPP06N80C3XKSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS C3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.