Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRLZ34NPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.