Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4468PBF

Код товара RS: 688-7014Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFP4468PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

290 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

520 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

360 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 254,16

тг 3 254,16 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4468PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 254,16
2тг 6 508,32
3тг 9 762,48
4тг 13 016,64
5тг 15 913,20
6тг 19 095,84
7тг 22 278,48
8тг 25 461,12
9тг 28 643,76
10тг 23 780,40
11тг 26 158,44
12тг 28 536,48
13тг 30 914,52
14тг 33 292,56
15тг 35 670,60

тг 3 254,16

тг 3 254,16 Each (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC IRFP4468PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 254,16
2тг 6 508,32
3тг 9 762,48
4тг 13 016,64
5тг 15 913,20
6тг 19 095,84
7тг 22 278,48
8тг 25 461,12
9тг 28 643,76
10тг 23 780,40
11тг 26 158,44
12тг 28 536,48
13тг 30 914,52
14тг 33 292,56
15тг 35 670,60

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 254,16
5 - 9тг 3 182,64
10 - 19тг 2 378,04
20 - 49тг 2 328,87
50+тг 2 060,67

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

290 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

520 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

360 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.