Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH5250DTRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
PQFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.35V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.35V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.85мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
PQFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.35V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.35V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
83 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.85мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.