Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF7832TRPBF

Код товара RS: 827-3896Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF7832TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.32V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.39V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+155 °C

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 3 620,70

тг 362,07 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF7832TRPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 620,70
20тг 7 241,40
30тг 10 862,10
40тг 14 482,80
50тг 18 103,50
60тг 21 724,20
70тг 25 344,90
80тг 28 965,60
90тг 32 586,30
100тг 29 502,00
110тг 32 452,20
120тг 35 402,40
130тг 38 352,60
140тг 41 302,80
150тг 44 253,00

тг 3 620,70

тг 362,07 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF7832TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 620,70
20тг 7 241,40
30тг 10 862,10
40тг 14 482,80
50тг 18 103,50
60тг 21 724,20
70тг 25 344,90
80тг 28 965,60
90тг 32 586,30
100тг 29 502,00
110тг 32 452,20
120тг 35 402,40
130тг 38 352,60
140тг 41 302,80
150тг 44 253,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 362,07тг 3 620,70
100 - 490тг 295,02тг 2 950,20
500 - 1990тг 272,67тг 2 726,70
2000 - 3990тг 250,32тг 2 503,20
4000+тг 236,91тг 2 369,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.32V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.39V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+155 °C

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.