Infineon IRF7507TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 А, 2,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
MSOP
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ, 270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
5,3 нКл при 4,5 В, 5,4 нКл при 4,5 В
Ширина
3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.86мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 290,55
тг 290,55 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 290,55
тг 290,55 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 290,55 |
| 10 - 49 | тг 134,10 |
| 50 - 99 | тг 129,63 |
| 100 - 249 | тг 107,28 |
| 250+ | тг 102,81 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 А, 2,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
MSOP
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ, 270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
5,3 нКл при 4,5 В, 5,4 нКл при 4,5 В
Ширина
3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.86мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.