Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.4 A, 100 V, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF

Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.039 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
? 20V
Количество элементов на ИС
2
P.O.A.
Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)
4000
P.O.A.
Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)
4000
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.039 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
? 20V
Количество элементов на ИС
2