Infineon IPW60R190C6FKSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
CoolMOS C6
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
151 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
63 нКл при 10 В
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 519,80
тг 1 519,80 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 519,80
тг 1 519,80 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 519,80 |
| 25 - 99 | тг 1 220,31 |
| 100 - 239 | тг 1 135,38 |
| 240 - 479 | тг 1 113,03 |
| 480+ | тг 1 005,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
CoolMOS C6
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
151 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
63 нКл при 10 В
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.