Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K4P7ATMA1

Код товара RS: 168-5917Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD80R1K4P7ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

CoolMOS P7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.22мм

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET

The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K4P7ATMA1

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R1K4P7ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2500
1P.O.A.
2501P.O.A.
5001P.O.A.
7501P.O.A.
10001P.O.A.
12501P.O.A.
15001P.O.A.
17501P.O.A.
20001P.O.A.
22501P.O.A.
25001P.O.A.
27501P.O.A.
30001P.O.A.
32501P.O.A.
35001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

CoolMOS P7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.22мм

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET

The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.