Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon 3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

Код товара RS: 284-808Бренд: InfineonПарт-номер производителя: DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

EasyPACK

Тип корпуса

AG-EASY1B

Число контактов

23

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

3

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tray of 24) (ex VAT)

Infineon 3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tray of 24) (ex VAT)

Infineon 3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

24

Доступно в кратности 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

EasyPACK

Тип корпуса

AG-EASY1B

Число контактов

23

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

3

Материал транзистора

SiC