Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
10,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 5 В
Ширина
7.67мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 1 001,28
тг 500,64 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 001,28
тг 500,64 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 500,64 | тг 1 001,28 |
10 - 18 | тг 491,70 | тг 983,40 |
20 - 48 | тг 478,29 | тг 956,58 |
50 - 98 | тг 469,35 | тг 938,70 |
100+ | тг 429,12 | тг 858,24 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
10,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 5 В
Ширина
7.67мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре