Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF

Код товара RS: 541-1950Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFIB6N60APBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 885,06

тг 885,06 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF
Select packaging type

тг 885,06

тг 885,06 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB6N60APBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 885,06
25 - 99тг 710,73
100 - 249тг 697,32
250+тг 679,44
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать