Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
27 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 3 061,95
тг 612,39 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 061,95
тг 612,39 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 612,39 | тг 3 061,95 |
25 - 95 | тг 496,17 | тг 2 480,85 |
100 - 245 | тг 397,83 | тг 1 989,15 |
250 - 495 | тг 375,48 | тг 1 877,40 |
500+ | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
27 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре