Vishay IRFD110PBF MOSFET

Код товара RS: 541-1039Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD110PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 259,26

тг 259,26 Each (ex VAT)

Vishay IRFD110PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 259,26
2тг 518,52
3тг 777,78
4тг 1 037,04
5тг 1 296,30
6тг 1 555,56
7тг 1 814,82
8тг 2 074,08
9тг 2 333,34
10тг 2 592,60
11тг 2 851,86
12тг 3 111,12
13тг 3 370,38
14тг 3 629,64
15тг 3 888,90

тг 259,26

тг 259,26 Each (ex VAT)

Vishay IRFD110PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 259,26
2тг 518,52
3тг 777,78
4тг 1 037,04
5тг 1 296,30
6тг 1 555,56
7тг 1 814,82
8тг 2 074,08
9тг 2 333,34
10тг 2 592,60
11тг 2 851,86
12тг 3 111,12
13тг 3 370,38
14тг 3 629,64
15тг 3 888,90

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 259,26
25 - 99тг 214,56
100 - 249тг 210,09
250 - 499тг 205,62
500+тг 196,68
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100V
N-channel MOSFET,IRFD110 1A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)