Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3

Код товара RS: 178-3718Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQJ431AEP-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

760 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

68 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

760 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

68 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China