Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
SC-70
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
13,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
SC-70
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
13,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China