Toshiba TK N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK100E08N1
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
214 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
255 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 1 761,18
тг 1 761,18 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 761,18
тг 1 761,18 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 761,18 |
| 25 - 99 | тг 1 515,33 |
| 100 - 249 | тг 1 318,65 |
| 250 - 499 | тг 885,06 |
| 500+ | тг 755,43 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
214 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
255 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Информация о товаре