Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

Код товара RS: 827-4909PБренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18563Q5A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

VSONP

Серия

NexFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

VSONP

Серия

NexFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

10,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.7V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments