STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20

Код товара RS: 761-2934PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW75NF20
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

84 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

84 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics