STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW11NM80

Код товара RS: 760-9768Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW11NM80
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

43,6 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 193,49

тг 1 193,49 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW11NM80
Select packaging type

тг 1 193,49

тг 1 193,49 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW11NM80
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 193,49
10 - 29тг 1 184,55
30 - 59тг 1 180,08
60 - 119тг 1 175,61
120+тг 1 171,14

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

43,6 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics