STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP6NK90ZFP

Код товара RS: 687-5336Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP6NK90ZFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

46,5 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 2 243,94

тг 1 121,97 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP6NK90ZFP
Select packaging type

тг 2 243,94

тг 1 121,97 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin TO-220FP STP6NK90ZFP

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 121,97тг 2 243,94
10 - 18тг 947,64тг 1 895,28
20 - 48тг 929,76тг 1 859,52
50 - 98тг 907,41тг 1 814,82
100+тг 724,14тг 1 448,28

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

46,5 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics