STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP28N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh M2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
170 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
36 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 842,92
тг 1 421,46 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 842,92
тг 1 421,46 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 22 | тг 1 421,46 | тг 2 842,92 |
| 24 - 98 | тг 1 345,47 | тг 2 690,94 |
| 100 - 248 | тг 1 197,96 | тг 2 395,92 |
| 250 - 498 | тг 1 108,56 | тг 2 217,12 |
| 500+ | тг 1 010,22 | тг 2 020,44 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh M2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
170 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
36 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).