Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
96 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 5 788,65
тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 5 788,65
тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 1 157,73 | тг 5 788,65 |
50 - 245 | тг 902,94 | тг 4 514,70 |
250 - 495 | тг 737,55 | тг 3 687,75 |
500 - 995 | тг 621,33 | тг 3 106,65 |
1000+ | тг 581,10 | тг 2 905,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.6мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
96 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.