STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-220 STP140N8F7

Код товара RS: 791-7810Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP140N8F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

96 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-220 STP140N8F7
Select packaging type

тг 5 788,65

тг 1 157,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin TO-220 STP140N8F7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 157,73тг 5 788,65
50 - 245тг 902,94тг 4 514,70
250 - 495тг 737,55тг 3 687,75
500 - 995тг 621,33тг 3 106,65
1000+тг 581,10тг 2 905,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

96 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics