STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL140N6F7

Код товара RS: 907-4766PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL140N6F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

140 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.2мм

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL140N6F7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 140 A, 60 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL140N6F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

140 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.2мм

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics