STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Brand

Тип продукции

Транзистор с запираемым затвором IGBT

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

10A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

600V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

88W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±20 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.95V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Длина

6.6мм

Серия

H

Автомобильный стандарт

Нет

Номинальная энергия

221mJ

Страна происхождения

China