STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 795-7041Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB10NC60HDT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

тг 2 592,60

тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 592,60
10тг 5 185,20
15тг 7 777,80
20тг 10 370,40
25тг 9 945,75
30тг 11 934,90
35тг 13 924,05
40тг 15 913,20
45тг 17 902,35
50тг 19 891,50
55тг 21 880,65
60тг 23 869,80
65тг 25 858,95
70тг 27 848,10
75тг 29 837,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 518,52тг 2 592,60
25 - 95тг 397,83тг 1 989,15
100 - 245тг 326,31тг 1 631,55
250 - 995тг 317,37тг 1 586,85
1000+тг 223,50тг 1 117,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать