STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF12N60M2

Код товара RS: 906-2779Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF12N60M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.4мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF12N60M2
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF12N60M2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh M2

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.4мм

Прямое напряжение диода

1.6V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics