STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB60NF06LT4

Код товара RS: 795-6944Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB60NF06LT4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB60NF06LT4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB60NF06LT4
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 666,03тг 3 330,15
50 - 495тг 630,27тг 3 151,35
500 - 745тг 598,98тг 2 994,90
750 - 995тг 572,16тг 2 860,80
1000+тг 196,68тг 983,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics