STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4

Код товара RS: 188-8473PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB12NM50T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.35мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

4.37мм

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.35мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

4.37мм