STMicroelectronics STB100N6F7 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET F7
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.35мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,6 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET F7
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.35мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12,6 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.