ON Semiconductor RFP70N06 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 20 В
Ширина
4.83мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Высота
9.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 697,32
тг 697,32 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 697,32
тг 697,32 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 697,32 |
| 25 - 99 | тг 545,34 |
| 100 - 249 | тг 442,53 |
| 250 - 499 | тг 433,59 |
| 500+ | тг 397,83 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 20 В
Ширина
4.83мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Высота
9.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.