onsemi N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTPF082N65S3F

Код товара RS: 178-4602Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTPF082N65S3F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

16.12мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NTPF082N65S3F MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTPF082N65S3F

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTPF082N65S3F
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NTPF082N65S3F MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

82 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.63мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

16.12мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor NTPF082N65S3F MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)