onsemi N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN NTMFS5C670NLT1G

Код товара RS: 900-8814Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMFS5C670NLT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

71 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

8,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

61 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В, 9 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN NTMFS5C670NLT1G
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN NTMFS5C670NLT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

71 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

8,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

61 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В, 9 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

1.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor