onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G

Код товара RS: 793-1055Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTF3055-100T1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В пост. тока

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.65мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 145,60

тг 214,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G
Select packaging type

тг 2 145,60

тг 214,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 214,56тг 2 145,60
50 - 90тг 210,09тг 2 100,90
100 - 490тг 134,10тг 1 341,00
500 - 990тг 134,10тг 1 341,00
1000+тг 102,81тг 1 028,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В пост. тока

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.65мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor