Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 145,60
тг 214,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 145,60
тг 214,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 214,56 | тг 2 145,60 |
50 - 90 | тг 210,09 | тг 2 100,90 |
100 - 490 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
500 - 990 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
1000+ | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре