ON Semiconductor FDMC86520L MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
MLPAK33
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.725мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 831 420,00
тг 277,14 Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
тг 831 420,00
тг 277,14 Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | тг 277,14 | тг 831 420,00 |
| 15000 - 27000 | тг 268,20 | тг 804 600,00 |
| 30000+ | тг 263,73 | тг 791 190,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
MLPAK33
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.725мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.