onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 FDC6321C

Код товара RS: 354-4985PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDC6321C
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА, 680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ом, 450 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,64 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 FDC6321C
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 FDC6321C
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА, 680 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ом, 450 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.65V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,64 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.