onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 6-Pin SOT-23 FDC5614P

Код товара RS: 671-0346Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDC5614P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 251,60

тг 250,32 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 6-Pin SOT-23 FDC5614P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 251,60
10тг 2 503,20
15тг 3 754,80
20тг 5 006,40
25тг 4 805,25
30тг 5 766,30
35тг 6 727,35
40тг 7 688,40
45тг 8 649,45
50тг 9 610,50
55тг 10 571,55
60тг 11 532,60
65тг 12 493,65
70тг 13 454,70
75тг 14 415,75

тг 1 251,60

тг 250,32 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 6-Pin SOT-23 FDC5614P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 251,60
10тг 2 503,20
15тг 3 754,80
20тг 5 006,40
25тг 4 805,25
30тг 5 766,30
35тг 6 727,35
40тг 7 688,40
45тг 8 649,45
50тг 9 610,50
55тг 10 571,55
60тг 11 532,60
65тг 12 493,65
70тг 13 454,70
75тг 14 415,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 250,32тг 1 251,60
25 - 95тг 192,21тг 961,05
100 - 245тг 129,63тг 648,15
250 - 495тг 129,63тг 648,15
500+тг 125,16тг 625,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

105 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.