Infineon SPP15P10PLHXKSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
128 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.57мм
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.95мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
128 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.57мм
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.95мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.