Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V, 3-Pin TO-220AB IRLB8314PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
171 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
171 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.