Infineon N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IRFS7534TRL7PP
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
290 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 851,86
тг 1 425,93 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 851,86
тг 1 425,93 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 18 | тг 1 425,93 | тг 2 851,86 |
| 20 - 98 | тг 822,48 | тг 1 644,96 |
| 100 - 148 | тг 791,19 | тг 1 582,38 |
| 150 - 798 | тг 777,78 | тг 1 555,56 |
| 800+ | тг 728,61 | тг 1 457,22 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
290 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.