Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.99мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.98мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.57мм
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
50 - 90 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
100 - 190 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
200 - 490 | тг 156,45 | тг 1 564,50 |
500+ | тг 138,57 | тг 1 385,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.99мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.98мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.57мм