Infineon IRF9317PBF MOSFET

Код товара RS: 725-9243Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF9317PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.99мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
тг 196,68Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 056,20

тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRF9317PBF MOSFET
Select packaging type

тг 2 056,20

тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon IRF9317PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 205,62тг 2 056,20
50 - 90тг 187,74тг 1 877,40
100 - 190тг 174,33тг 1 743,30
200 - 490тг 156,45тг 1 564,50
500+тг 138,57тг 1 385,70
Вас может заинтересовать
Infineon P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
тг 196,68Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.99мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
тг 196,68Each (In a Pack of 20) (ex VAT)