Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V, 7-Pin DirectFET Medium Can IRF6643TRPBF

Код товара RS: 260-5939Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF6643TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DirectFET Medium Can

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V, 7-Pin DirectFET Medium Can IRF6643TRPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V, 7-Pin DirectFET Medium Can IRF6643TRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DirectFET Medium Can

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Количество элементов на ИС

1